半導(dǎo)體被稱為國家的“產(chǎn)業(yè)大米”夷朽，是所有電子產(chǎn)品生產(chǎn)都不可缺少的原材料之一猩系，不論是民用的電子產(chǎn)品還是高精尖的軍用武器少煮，其性能完全依賴于半導(dǎo)體產(chǎn)品的質(zhì)量绵笆。目前市場產(chǎn)業(yè)鏈為IC設(shè)計(jì)（芯片設(shè)計(jì)）、IC制造（前道工序的晶圓加工）和IC封測（后道工序封裝和測試）货僚。而晶圓作為半導(dǎo)體行業(yè)的最重要的一環(huán)耙替，更是國家大力扶持的項(xiàng)目之一。接下來為您介紹晶圓制程中保護(hù)膜的應(yīng)用曹体。

一． 研磨（Back Grinding）用保護(hù)膜
   根據(jù)晶圓尺寸要求或散熱要求俗扇，有時(shí)需將晶圓背面研磨減薄至可接受的厚度，因此研磨制程也可稱為“背研”或“減薄”混坞，而研磨過程中需保證碎屑和研磨液不對(duì)晶圓造成污染，因此研磨前需在晶圓正面即線路面貼附保護(hù)膜（BG Tape）钢坦。
   晶圓中錫球的高度越高究孕，研磨時(shí)越容易分散以導(dǎo)致晶圓破損或產(chǎn)生波紋，因此需賦予保護(hù)膜較好的應(yīng)力緩和性及延伸性爹凹，因此對(duì)于高錫球和超薄晶圓的研磨厨诸，PO基材的保護(hù)膜更為適用镶殷。
  晶圓用保護(hù)膜一般有普通藍(lán)膜和UV固化減粘膜。UV膜的優(yōu)勢在于研磨后照射UV光使其粘性降低微酬，可在低應(yīng)力情況下進(jìn)行剝離作業(yè)绘趋。高清潔性可保證研磨過程中微觀粒子的轉(zhuǎn)移非常少，研磨過程后不需要額外的清洗過程颗管。
二． 切割（Dicing）用保護(hù)膜
晶圓切割（即劃片）將晶圓上的每一顆晶粒（Die）加以切割分離静冯，先要將晶圓（Wafer）的背面貼上一層保護(hù)膜（Wafer Mount），之后再將其送至晶圓切割機(jī)加以切割蛮究。切割完后狱鼎，一顆顆的晶粒會(huì)井然有序的排列黏貼在膠帶上，同時(shí)由于框架的支撐可避免晶粒因膠帶皺褶而產(chǎn)生碰撞家厂。
與研磨用保護(hù)膜類似篷浅，切割用保護(hù)膜也分為非UV的藍(lán)膜及UV減粘膜，藍(lán)膜成本較低婿孟，且適用于大芯片和較厚類型的晶圓客娱；UV膜成本較高但效率較高，尤其適用于小尺寸和超薄類型的晶圓孟盅。
針對(duì)晶圓工藝圈机，UV保護(hù)膜需滿足如下要求：
1.膠帶具強(qiáng)力的黏著力以固定晶圓，即使是小芯片也不會(huì)發(fā)生位移或剝除的問題浴魏。
2.用紫外線照射降低黏著力笤茴，即使是大芯片也能輕松地正確撿拾起芯片。
3.確保膠黏劑不對(duì)IC產(chǎn)生污染