保護(hù)膜晶點(diǎn)問題分析

發(fā)布時(shí)間:2018-08-10

保護(hù)膜晶點(diǎn)問題分析與疑問講解

晶點(diǎn)又叫魚眼明因,形狀像細(xì)小又硬的小珠點(diǎn),影響薄膜外觀送写,且復(fù)合其它基材后會(huì)形成凸點(diǎn) 牛斥。即便是一級(jí)樹脂原料也會(huì)產(chǎn)生晶點(diǎn),生產(chǎn)過程加熱過度或者熔融原料的滯留都會(huì)產(chǎn)生晶 點(diǎn)醒狭。生產(chǎn)過程中劣質(zhì)的原料顆两恃浚或高分子量(交聯(lián))處會(huì)形成晶點(diǎn)。晶點(diǎn)外觀跟水汽泡或 未熔融好的樹脂外觀很相似君板。 

保護(hù)膜的晶點(diǎn)發(fā)生原因主要有以下幾點(diǎn)原因:
1歪架、原料清潔度股冗,包括原料本身的潔凈度、環(huán)境的粉塵污染和蚪;因此在PE保護(hù)膜生產(chǎn)過程中需注意止状。
2、原料選擇方面攒霹,幾種原料融指相差較大导俘、原料相容性不好時(shí)易出現(xiàn)晶點(diǎn);因此原料的選擇相當(dāng)重要剔蹋。
3旅薄、加工條件方面,加工溫度不當(dāng)則會(huì)造成原料塑化不良或過塑化泣崩,均會(huì)造成晶點(diǎn)現(xiàn)象少梁。
4、設(shè)備的加工能力矫付,設(shè)備料筒螺桿凯沪、過濾器等對(duì)晶點(diǎn)的產(chǎn)生也有非常重要的影響。


1.pe保護(hù)膜出現(xiàn)晶點(diǎn)洞歼,其具體原因是什么卫削?

在PE保護(hù)膜中,如果其出現(xiàn)晶點(diǎn)的話宣验,那么其具體原因赌矩,是因?yàn)椋?br />
原因一:保護(hù)膜所使用的原料,在清潔度上不達(dá)標(biāo)娇晦,或者是受到了粉塵污染浑梳。

原因二:在原材料的選用上,沒有選擇合適的镀匈,或者是幾種原材料之間的相容性不好染窝,從而產(chǎn)生晶點(diǎn)。

原因三:在保護(hù)膜的加工上砰洗,對(duì)于加工溫度医惠,沒有進(jìn)行很好控制,從而使得原料塑化不良穿桃,或者是塑化過度器谦,從而產(chǎn)生晶點(diǎn)。

原因四:在加工設(shè)備上出現(xiàn)了問題取视,設(shè)備本身存在質(zhì)量問題硝皂,或者是設(shè)備的加工能力不夠等常挚。


不同晶點(diǎn)的解決方法

我們?cè)谇懊嬖敿?xì)介紹了主要的晶點(diǎn)類型作谭、鑒別方法稽物、成因以及應(yīng)對(duì)方法≌矍罚總結(jié)起來如下: 

利用熱臺(tái)偏光顯微鏡鑒別不同類型的晶點(diǎn)

顯微鏡下可以看到污染物——外來污染物晶點(diǎn)贝或;

將薄膜主體加熱融化后仍然可以看到清晰的晶點(diǎn)或降解產(chǎn)物——高度交聯(lián)/氧化晶點(diǎn);

將薄膜主體加熱融化后晶點(diǎn)消失锐秦,但降溫后可以重新看到晶點(diǎn)——輕度交聯(lián)的晶點(diǎn)咪奖; 

將薄膜主體加熱融化后晶點(diǎn)消失,但降溫晶點(diǎn)不恢復(fù)——塑化不良的晶點(diǎn)酱床。

外來污染物晶點(diǎn)的應(yīng)對(duì)方法

提高車間潔凈度羊赵;

改善物料儲(chǔ)運(yùn)流程,保持樹脂包裝袋清潔扇谣;

嚴(yán)控生產(chǎn)秩序昧捷,配料時(shí)避免不同類型原料間的交叉污染等。


交聯(lián)/氧化晶點(diǎn)的應(yīng)對(duì)方法

更換晶點(diǎn)較少批次的原料冕咒; 

降低加工溫度撑葡; 

添加額外的抗氧劑;

優(yōu)化設(shè)備彭理、更換成設(shè)計(jì)優(yōu)秀的螺桿等艾抠。 

塑化不良晶點(diǎn)的應(yīng)對(duì)方法
避免將粒料和粉料混合使用;

注意原料顆粒的抽送過程凝顿,避免因?yàn)槟Σ廉a(chǎn)生原料粉末惑妒;
避免將熔點(diǎn)差別非常大的原料簡(jiǎn)單共混使用;

若配方要求菌菇,必須混合熔點(diǎn)差別大的原料肋漏;則需要降低螺桿第一區(qū)和第二區(qū)的溫度,避免低熔點(diǎn)原料過早融化岂苏,同時(shí)可以加密濾網(wǎng)茶黄,增加計(jì)量段的剪切。