太陽(yáng)能電池是一種有效地吸收太陽(yáng)能輻射并將其轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體電子器件。薄膜太陽(yáng)能電池是將具有不同功能和作用的一系列薄膜經(jīng)過(guò)連線等工藝制作而成的太陽(yáng)能電池板卿泽。與其它太陽(yáng)能電池相比芋类，薄膜太陽(yáng)電池既具有晶體硅電池性能穩(wěn)定睡榆、工藝成熟和高效的優(yōu)點(diǎn)汹粤，又有大幅度減少材料用量辖众、從而大幅度降低制造成本的潛力因而成為目前的研究熱點(diǎn)版逼∈莺可以說(shuō)，晶硅太陽(yáng)能電池是第一代技術(shù)薄膜太陽(yáng)能電池則是第二代技術(shù)鞍歌。

       對(duì)薄膜太陽(yáng)能電池的研究主要開(kāi)始于20世紀(jì)80年代勘伺。大部分都采用硅作為最基本的材料，也就是說(shuō)將多層的不同導(dǎo)電類(lèi)型的多晶硅薄膜或非晶硅薄膜沉積起來(lái)褂删，以達(dá)到增加太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)化效率的效果，其光電轉(zhuǎn)換效率一般穩(wěn)定在11—13冲茸。薄膜型太陽(yáng)電池技術(shù)具有可吸收散射光屯阀、可撓性與可制作大面積太陽(yáng)電池等特性，特別是與結(jié)晶硅型太陽(yáng)電池相比轴术，其所消耗的材料成本更為經(jīng)濟(jì)难衰，因此備受產(chǎn)業(yè)界人士看好。短期而言逗栽，在上游硅材料短缺仍難緩解的情況下盖袭，薄膜型太陽(yáng)電池將成為太陽(yáng)電池市場(chǎng)的另一個(gè)最佳選擇。由于薄膜型太陽(yáng)電池的主動(dòng)面積(Active Area彼宠，包括半導(dǎo)體層及接觸層)厚度約只有1—10μm鳄虱，不像傳統(tǒng)厚膜型的厚度約為100—300μm，且需要使用大量凭峡、價(jià)格昂貴的半導(dǎo)體材料拙已，因此相比之下可省下許多材料成本决记。另外，其基材選擇性多樣包括玻璃枯誓、塑料或金屬薄片等谆胰，模塊封裝也較容易，且可做成半透光型五浊，因而能吸收漫射光源并可大面積制造萄瞻，非常適合做成與建筑物整合的太陽(yáng)光電板（Building Integrated Photovoltaic,BIPV）。